企业简介
苏州纳晶光电有限公司，是一家坐落在苏州工业园区高科技企业，位于风景秀丽的独墅湖高等教育区内。 纳晶公司目前主要分为外延开发部、芯片封装部、质量检测部、产品销售及技术支持部等几个部门，主要围绕大功率氮化镓LED、LD外延、芯片的研发、生产和销售展开工作。目前，公司拥有4台世界先进的MOCVD系统用于外延生长，多台芯片制造、检测及封装设备。 在人才队伍建设方面，公司通过引进业内专家和技术人员，组建自己的研发团队，开发出多项核心专利技术，人才、技术实力雄厚。 苏州纳晶光电有限公司不但自身蓬勃发展，而且积极地与业内同行展开合作，致力于推动大功率LED、LD产品走向通用照明领域。
苏州纳晶光电有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN101555627B | 一种氮化镓基外延膜的激光剥离方法 | 2012.01.25 | 本发明公开了一种氮化镓基外延膜的激光剥离方法，在蓝宝石衬底上生长多层氮化镓基外延膜，然后通过划片槽隔 |
| 2 | CN102064257A | 一种蓝宝石图形衬底及其制备方法 | 2011.05.18 | 本发明公开了一种蓝宝石图形衬底以及制备方法，该衬底图形为连续的网状结构，衬底图形的各组成边为脊形结构 |
| 3 | CN101265570B | 高温金属有机化学气相淀积反应器 | 2011.05.11 | 本发明公开了一种高温金属有机化学气相淀积反应器，包括壳体、反应室、送样室、真空装置、尾气处理装置以及 |
| 4 | CN101937953A | 一种氮化镓基发光二极管及其制备方法 | 2011.01.05 | 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管，包括：一衬底；设于衬底上的缓冲层；直接外延在缓冲层上的本征GaN |
| 5 | CN101510504B | 半导体薄膜的纳区横向外延生长方法 | 2010.09.08 | 本发明公开了一种半导体薄膜的横向外延生长方法，包括以下具体步骤：(1)在衬底材料上蒸镀一层成核金属催 |
| 6 | CN101740691A | 一种新型结构的大功率氮化镓基LED | 2010.06.16 | 本发明涉及一种氮化镓基发光二极管，尤其涉及一种大功率氮化镓基发光二极管的结构，所述大功率氮化镓基的发 |
| 7 | CN101555627A | 一种氮化镓基外延膜的激光剥离方法 | 2009.10.14 | 本发明公开了一种氮化镓基外延膜的激光剥离方法，在蓝宝石衬底上生长多层氮化镓基外延膜，然后通过划片槽隔 |
| 8 | CN101510504A | 半导体薄膜的纳区横向外延生长方法 | 2009.08.19 | 本发明公开了一种半导体薄膜的横向外延生长方法，包括以下具体步骤：(1)在衬底材料上蒸镀一层成核金属催 |
| 9 | CN101265570A | 高温金属有机化学气相淀积反应器 | 2008.09.17 | 本发明公开了一种高温金属有机化学气相淀积反应器，包括壳体、反应室、送样室、真空装置、尾气处理装置以及 |
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苏州纳晶光电有限公司 |
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